VASP可以研究具體某個k點某條能帶的局部電荷密度，并且把它投影到實空間。

具體的過程可以參考：

https://zhuanlan.zhihu.com/p/410514906

vasp官網上也給出了相關的參數(shù)解釋：

https://www.vasp.at/wiki/index.php/Band_decomposed_charge_densities

但是如果打開了自旋，輸出的電荷密度是上自旋+下自旋的，無法具體區(qū)分到某一個自旋軌道，在官網的wiki中也明確指出了：PARCHG中的第一部分是上自旋+下子旋，第二部分是上自旋-下子旋，所以只需要簡單地處理一下就可以得到上下自旋分別的局域電荷密度。

寫了一個簡單的腳本，僅供參考，如果有問題敬請指正。

https://github.com/1241563482/Partial-Charge-Density

運行腳本，輸入需要處理的文件名，就會得到up-PARCHG和down-PARCHG，分別對應兩個自旋軌道。