5 月 19 日消息，根據(jù) Revegnus（Tech_Reve）分享的推文消息，高通驍龍 8 Gen 4 處理器將采用臺(tái)積電的 3nm 工藝（N3E）；而驍龍 8 Gen 4 for Galaxy 處理器采用三星的 3nm GAP 工藝。

此外，根據(jù)Revegnus（Tech_Reve）和數(shù)碼閑聊站此前分享的消息，標(biāo)準(zhǔn)版高通驍龍 8 Gen 4 將有兩個(gè)“Nuvia Phoenix”性能核心和六個(gè)“Nuvia Phoenix M”效率核心。其中 Nuvia 是高通收購(gòu)、用于開發(fā)定制 CPU 的公司名稱。

Revegnus 在推文中表示，高通驍龍 8 Gen 3 在 Geekbench 5 基準(zhǔn)測(cè)試中，單核性能為 1800 分，多核性能為 6500 分。

而高通驍龍 8 Gen 4 在 GeekBench 5 基準(zhǔn)跑分測(cè)試中，單核性能為 2070 分，多核性能為 9100 分。

——在相同測(cè)試中，高通驍龍 8 Gen 4 的多核成績(jī)可以超過 M2。目前 M2 在 GeekBench 5 中多核得分在 8800 到 9000 分之間。

新一代高通驍龍 8 Gen 4 將基于臺(tái)積電 N3E 工藝制造。此前還有消息稱高通在驍龍 8 Gen 4 處理器上棄用了 ARM 的 CPU 設(shè)計(jì)，轉(zhuǎn)而使用自家定制的 Oryon 核心方案，多核性能最高可以提升 40%。