IGCT模塊5SHY6545L0001 5SHY4045L0004可控硅主板5SHY35L4510
2023-03-08 11:22 作者:15359254348-李V | 我要投稿
IGCT模塊5SHY6545L0001 5SHY4045L0004可控硅主板5SHY35L4510 5SHY35L4512 5SHY40L4511 5SHY55L4500系列
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IGBT模塊的集電極電流增大時(shí)，VCE(-). 上升，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開關(guān)損耗增大，原件發(fā)熱加劇。因此，根據(jù)額定損耗,開關(guān)損耗所產(chǎn)生的熱量,控制器件結(jié)溫(Tj)在150oC以下(通常為安全起見，以125oC以下為宜)，請(qǐng)使用這時(shí)的集電流以下為宜。特別是用作高頻開關(guān)時(shí)，由於開關(guān)損耗增大，發(fā)熱也加劇，需十分注意。- .般來說，要將集電極電流的最大值控制在直流額定電流以下使用,從經(jīng)濟(jì)角度這是值得推薦的。
